login contact us
RosConcert.com HomePage
    NEWS CENTRAL >> Hi-Tech

News Central


Hi-Tech

Новые технологии создания транзисторов от AMD
2:34AM Monday, Jun 23, 2003
На симпозиуме VLSI в Киото (Япония) специалисты AMD представили технологии создания новых транзисторов, обладающих высоким быстродействием. Ускорение работы транзисторов и их дальнейшая миниатюризация — основное условие получения более мощных процессоров, и представители AMD предложили для этого несколько путей. Первый из предложенных способов основывается на технологии FDSOI (полностью обедненный кремний на изоляторе). Транзисторы, изготовленные по такой технологии, обгоняют в быстродействии транзисторы PMOS (металлоксидный полупроводник с P-каналом) на 30%. Еще одна технология, разработанная исследователями AMD, заключается в применении напряженного кремния (Strained Silicon) в сочетании с металлизированными затворами. Металлизированные затворы — новейшая разработка компании AMD, использующая для создания затворов силицид никеля, в отличие от обычных транзисторов, в которых для данной цели служит поликристаллический кремний. Быстродействие транзисторов, использующих метализированные затворы, на 25% превышает скорость работы обычных транзисторов. Использование металлизированных затворов позволит усовершенствовать существующий 65-нанометровый процесс изготовления транзисторов и обеспечит их дальнейшую миниатюризацию.

Современные транзисторы SOI работают на тонком слое кремния, под которым находится изолятор, не допускающий утечки тока в подложку. Быстродействие такого транзистора зависит от толщины кремния — чем подложка тоньше, тем выше скорость тока, и соответственно, ускоряется работа транзистора. Полностью обедненный кремний позволяет достичь наивысшего на данный момент быстродействия. Заряд может течь быстрее не только за счет уменьшенной толщины кремния, но и за счет того, что его кристаллическая решетка разрежена — атомы более удалены друг от друга. Исследователи полагают, что сочетание технологий полностью обедненного кремния и металлизированных затворов обеспечит дополнительные преимущества при разработке микросхем на основе новых полупроводниковых технологий.

КомпьюЛента
« « Вернуться       Далее » »
Другие новости по теме
  • Многофункциональный сетевой червь Mumu
  • Sony разрабатывает гибкие КПК будущего
  • Альянс ATI и Creative Technology
  • Очередной провал испытаний американской системы ПРО
  • Разнософт: Профилактика забывчивости
  • Подарки американского ВПК на день рождения армии США
  • Новые модули памяти Corsair XMS3700 и TWINX512-3700 с частотой 467 МГц
  • Американские ученые наблюдали новое состояние материи
  • Sun начала переманивать клиентов IBM
  • На борту американских самолетов появится доступ к электронной почте
  • Уже 10% россиян пользуются интернетом
  • Trinity Logic наградит покупателей жёстких дисков
  • Игра с участием группы Metallica
  • Новые колонки Altec Lansing VS4121
  • Сенатор, предлагавший уничтожать компьютеры пиратов, оказывается, пошутил
  • Новая камера начального уровня PDR-3340 от Toshiba

    Далее » »   Digest | Архив »    
Смотрите также: Hi-Tech, Интернет, Hardware, SoftNews
News Central Home | News Central Resources | Portal News Resources | Help | Login
     
Phone Cards at ComFi Russian America Top. Рейтнг ресурсов Русской Америки. © 2025 RussianAMERICA Holding
All Rights Reserved • Contact