Новый успех IBM и Infineon в области разработки магнитной памяти, Hi-Tech

Компьюлента. 11 июня 2003 года, 11:12

Компании IBM (США) и Infineon (ФРГ) сообщили на симпозиуме VLSI о новых успехах в области создания магнитной компьютерной памяти (MRAM). Такая память обладает преимуществами традиционного ОЗУ и флэш-памяти: она отличается высокой скоростью работы и малым временем доступа - качествами, характерными для оперативной памяти, и энергонезависимостью, свойственной флэш-памяти.

Энергонезависимость обуславливает и низкое энергопотребление новой памяти: для хранения информации подпитки чипов не требуется, энергия расходуется только при чтении и записи информации. Эта особенность чрезвычайно важна для портативных устройств - в них магнитная память может найти самое широкое применение и обеспечит значительный рост времени их автономной работы.

На симпозиуме IBM и Infineon продемонстрировали чип магнитной памяти емкостью 128 кбит. Микросхема изготовлена по 0,18-микронной технологии. Размер ячейки памяти составляет всего 1,4 мкм² - по заявлениям компаний, это лучшее достижение в области MRAM на текущий момент. IBM и Infineon продолжают активно работать над созданием образцов магнитной памяти, пригодных для массового производства. К 2004 г. партнеры планируют представить первые образцы промышленной MRAM, а в 2005 г. - развернуть ее массовое производство на мощностях своего совместного предприятия Altis Semiconductor.