Ферроэлектрическая память наибольшей плотности от Toshiba и Infineon, Hi-Tech

Компьюлента. 18 февраля 2003 года, 14:09

Компании Toshiba и Infineon анонсировали совместную разработку - ферроэлектрическую память, отличающуюся самой большой плотностью, достижимой на текущий момент. 32-мегабитный чип - первый результат сотрудничества компаний, начавшегося в 2001 году.

Новинка, получившая название FeRAM, представляет собой энергонезависимую память, сочетающую скорость DRAM и SRAM со способностью флэш-памяти хранить данные без энергопитания. Среди других достоинств FeRAM - низкое потребление энергии и большой запас по количеству циклов чтения-записи. Это делает её пригодной для широкого ряда применений - от смарт-карт до мобильной техники.

Ячейки памяти FeRAM, выполненные по техпроцессу в 0,2 микрона, объединены в восьмизвенные "цепочки". Каждая ячейка содержит ферроэлектрический конденсатор и полевой транзистор, соединённые параллельным, а не последовательным способом, характерным для обычной FeRAM. Среди прочих нововведений - технология capacitor-on-plug (конденсатор размещается наверху контактного штырька, соединяющего конденсатор и транзистор, что позволяет уменьшить размер ячейки в несколько раз), трёхслойная металлическая подложка и усовершенствованная схемотехника, обеспечивающая надёжное экранирование сигнала от шумов токов питания, а также пониженное энергопотребление в режиме ожидания. Всё это в итоге обеспечивает повышенную стабильность работы.

Применение технологических новаций позволило уменьшить размер микросхемы памяти до 96 мм², что вполовину меньше чипа обычной FeRAM с ячейками того же размера. Схема контроллера теперь занимает в чипе площадь, на 34% меньшую, чем ранее, что также является своеобразным рекордом отрасли. Уменьшение габаритов, в конечном счёте, положительно отразится и на стоимости памяти.

Вместо заключения - некоторые параметры новой FeRAM:

размер ячейки - 1,875 кв. микрона
время доступа - 50 нс
длительность цикла записи/чтения - 75 нс
напряжение питания - 3,0 или 2,5 В