Американцы создали "революционную" магнитную память, Вокруг света

Логотип Freescale Semiconductor

Freescale Semiconductor анонсировала выпуск нового типа чипов памяти. Специалистам этой компании удалось создать чип магнитоустойчивой памяти с произвольным доступом (MRAM, magnetoresistive random-access memory), который сочетает в себе свойства флеш-накопителей и жестких дисков. В частности, новые чипы MRAM будут способны работать даже в условиях постоянных перебоев с электроснабжением, сообщает AFP.

MRAM будет хранить данные с помощью магнитного поля, а не электрического заряда. Магнитоустойчивая память осуществляет запись и считывание данных быстрее, чем флэш, при этом обеспечивая большую степень надежности сохранности информации. Доступ к хранящейся на MRAM информации можно осуществлять и в случае отключения электричества, так как магнитное поле сохрается в чипе даже при перебоях в питании.

Стоит отметить, что работу над воплощением концепции MRAM вели многие крупнейшие компании-производители полупроводников, однако именно Freescale удалось создать первый рабочий прототип MRAM, пригодный для коммерческого распространения. Выпуск MRAM уже начался, и на прилавках такие модули памяти появятся в ближайшие два месяца.

Специалист аналитического агентства Forward Concepts назвал разработку Freescale одним из наиболее выдающихся достижений в сфере усовершенствования модулей памяти за последнее десятилетие. Технология MRAM будет применяться в создании компьютеров, мобильных телефонов, цифровых плееров и др.