Samsung представляет ферроэлектрическую память для мобильных устройств, Hi-Tech

Компьюлента. 18 октября 2002 года, 16:18

Компания Samsung Electronics представила новый чип ферроэлектрической памяти (FRAM) для мобильных устройств. Новая микросхема имеет емкость 4 Мбит. Основой для создания нового чипа стала 32-мегабитная микросхема FRAM, созданная для применения в широком спектре электронных устройств.

Ферроэлектрическая память сочетает в себе такие качества, как возможность быстрого чтения-записи информации, характерную для динамической оперативной памяти (DRAM), и энергонезависимость, присущую флэш-памяти. Это делает FRAM чрезвычайно привлекательным решением для мобильных устройств, однако меньшая плотность записи информации вряд ли позволит ферроэлектрической памяти полноценно заменить DRAM и SRAM.

Рабочее напряжение нового чипа составляет 3 В, время доступа к информации - 80 нс. В микросхеме используется архитектура с применением однотранзисторных ячеек памяти. Предметом особой гордости Samsung является площадь, занимаемая каждой ячейкой памяти – она составляет всего 0,94 мкм². Таким образом, размер ячейки FRAM на 75% меньше ячейки традиционной статической памяти (SRAM). Именно ей на смену и должна прийти новинка от Samsung.